Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0

DDR3L 8GB 1600MHz 1.35V CL11 SODIMM - это высококачественная оперативная память, разработанная известным производителем электроники. Она предназначена для использования в ноутбуках и других устройствах, использующих компактные форм-факторы и низковольтные модули SODIMM.Модуль памяти DDR3L оснащен 8 гигабайтами памяти, что обеспечивает высокую производительность и эффективное использование ресурсов устройства. Рабочая частота составляет 1600 мегагерц, что гарантирует быструю обработку данных и плавное функционирование системы. Напряжение питания всего 1.35 вольт позволяет снизить энергопотребление и тепловыделение, продлевая срок службы модуля и увеличивая его стабильность.Показатель CL11 говорит о задержке сигнала в одиннадцать тактов, что является хорошим результатом для оперативной памяти данного типа. Это позволяет вашему устройству быстро и эффективно обрабатывать информацию, обеспечивая комфортную работу с ресурсоемкими приложениями и играми.DDR3L 8 GB 1600 MHz 1.35V CL11 SODIMM предлагает отличное сочетание производительности, энергоэффективности и компактности.

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0

Оперативная память Kimtigo DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KMTS8GF581600

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-YK0

Оперативная память Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v 1 шт.тайминги: 11-11-f3 -подходит для процессоров:-подходит на модельный ряд 2011-2016 год-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения)-на всю серию Celeron N**** -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750MТак же подходит для моноблоков, iMac, macbook)-если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0

Модуль памяти для ноутбука SODIMM Samsung M471B1G73BH0-YK0 стандарта DDR3L напряжение 1.35В , с объемом памяти 8GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3L 1.35 вольт. Уточняйте информацию по совместимости нашего модуля памяти с Вашим ноутбуком на официальном сайте производителя Вашего ноутбука.

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5674QH0-YK0

Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0

тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем одного модуля 4 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. CL 11 Особенности Unregistered Характеристики Тип DDR3L Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 CL 11 tRCD 11 tRP 11 tRAS 30 Количество чипов каждого модуля 8 Напряжение питания 1.35 В Количество рангов 2 Количество контактов 204 Упаковка чипов двусторонняя Особенности Unregistered Дополнительно Гарантийный срок 1 г.

Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70QH0-YK0

Описание тип: DDR3L, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: ECC, буферизованная (Registered) Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3L Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 CL 11 tRCD 11 tRP 11 Напряжение питания 1.35 В Количество контактов 240 Особенности ECC, буферизованная (Registered)

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73EB0-YK0

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B1G70QH0-YK0

Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC есть Напряжение питания 1.35 В

Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11

ОписаниеDDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В , CL 11Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторSODIMM 204-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 8 ГБПоддержка ECCнетПоддержка XMPнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11ДополнительноНапряжение питания1.35 В

Память DDR3L SODIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD3LNB-1600-CL11-4GN)

Память DDR3L SODIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD3LNB-1600-CL11-4GN)