оперативная память samsung 4 гб ddr3 1600 мгц sodimm cl11 m471b5273dh0 ck0
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-DimmСовместимые модели:Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - работать не будет, по скольку слот выдает только 1.35v. По процессорам Intel подойдет на 3-е поколение (Ivy Brigde), 2-е поколение (Sandy Bridge).Совместимость проверяйте на сайте производителя Вашего устройства или задавайте вопрос.
980 Руб.
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
2915 Руб.
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
1496 Руб.
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 1784232
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 1784232
992 Руб.
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YH9 DDR3L 4 ГБ 1333 МГц SODIMM
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YH9 DDR3L 4 ГБ 1333 МГц SODIMM
780 Руб.
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: M471B1G73BH0-CH9 M471B1G73CB0-CK0 Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - работать не будет, по скольку слот выдает только 1.35v. По процессорам Intel подойдет на 3-е поколение (Ivy Brigde), 2-е поколение (Sandy Bridge). Совместимость проверяйте на сайте производителя Вашего устройства или задавайте вопрос.
1890 Руб.
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-DimmОбратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) - работать не будет, поскольку слот выдает только 1.35v. По процессорам Intel подойдет на 3-е поколение (Ivy Brigde), 2-е поколение (Sandy Bridge). Совместимость проверяйте на сайте производителя Вашего устройства.
1349 Руб.
Оперативная память Samsung 8GB (2x4Gb) DDR3 1600 МГц SO-DIMM M471B5273DH0-CK0 - 2 шт.
Оперативная память Samsung DDR3 8GB (2x4Gb) 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 SO-DIMM - 2 шт.p/n M471B5273DH0-CK0
1900 Руб.
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-YK0
Оперативная память Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v 1 шт.тайминги: 11-11-f3 -подходит для процессоров:-подходит на модельный ряд 2011-2016 год-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения)-на всю серию Celeron N**** -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750MТак же подходит для моноблоков, iMac, macbook)-если остались вопросы задайте, отвечу быстро.
1652 Руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Дополнительно Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 2
1480 Руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
Тип DDR3Форм-фактор DIMMКоличество модулей в комплекте 1Объем одного модуля 4 ГБТактовая частота 1600 МГцПропускная способность PC12800CL 11tRCD 11tRP 11Количество чипов каждого модуля 8Напряжение питания 1.5 ВКоличество рангов 1Количество контактов 240Упаковка чипов односторонняяСрок службы 10 дн, Не хранить в помещениях с повышенной влажностью.
936 Руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Объем памяти 4 ГБ Тип DDR3 DIMM 240-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC12800 Особенности ECC
4420 Руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
4420 Руб.
