оперативная память amd 2 гб ddr3 1600 мгц dimm cl11 r532g1601u1s ugo
Оперативная память Apacer 4 ГБ DIMM CL11 AU04GFA60CATBGC
Оперативная память Apacer 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 DL.04G2K.KAM
1390 Руб.
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM (R534G1601S1S-UGO)
Название Память DDR3 4Gb 1600MHz AMD R534G1601S1S-UGO OEM PC3-12800 CL11 SO-DIMM 204-pin 1.5В. Тип DDR3. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. Количество контактов 204. Особенности Unregistered. Срок службы 5 лет. Гарантийный срок 1 г.
1560 Руб.
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
500 Руб.
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT25664BD160B
Crucial CT25664BD160B – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Crucial. Модуль памяти произведен с учетом требований современных к...
900 Руб.
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT25664BD160B
Стандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: RetailОбъем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL): 11Напряжение питания (В): 1.5 ВНормальная операционная температура (Tcase): 85 °CРасширенная операционная температура (Tcase): 95 °CРадиатор: НетГабариты: 133.35 x 30 ммRAS to CAS Delay (tRCD): 11Row Precharge Delay (tRP): 11Количество чипов на модуле: 8 штActivate to Precharge Delay (tRAS): 28Компоновка чипов на модуле: Односторонняя
699 Руб.
Оперативная память GeIL 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Модуль памяти SO-DIMM DDR3 4 Гб x 1 шт. PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Напряжение: 1.35 В (LV DDR3)
939 Руб.
Оперативная память GeIL 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Объем: 4 ГБ;Частота: 1600 МГц;Латентность: CL11;Тайминги: 11-11-11-28;Форм-фактор: SO-DIMM, 240-pin;Тип поставки: Ret;
989 Руб.
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Модуль памяти DDR3 4Gb Samsung M393B5170GB0-CK0 PC3-12800 1600Mhz ECC REG x4 1,5V Dual Rank Модули памяти для серверов 4gb, new oem Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB 1.5V DIMMs 4GB PC3-12800 DDR3, 1600, CL11, ECC REG 240-pin DIMMs Mfr Part Number: M393B5170GB0-CK0 Type: DDR3 Capacity: 4GB Speed: PC12800 1600MHz Size & Bit: 256M x 4 Pins: 240pin ECC: Yes Registered: Yes Chip: Samsung Dual Rank 2Rx4 CL 11, 1.5V Manufacturer Samsung Model number M393B5170GB0-CK0 IBM P/N Package Condition Contents 4GB Memory module Compatible with: IBM Servers:DX360 M3 6391X3400 M3 7378X3400 M3 7379X3500 M3 7380X3550 M3 7944X3620 M3 7376X3630 M4 7158X3650 M3 7945X3755 M3 7164
2040 Руб.
Оперативная память Apacer 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Память DDR III 04Gb Apacer 1600MHz (AU04GFA60CATBGC) 1.5v
1711 Руб.
Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Оперативная память Kingston KTH9600CS/4G1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (CL): 11
2978 Руб.
Оперативная память HP 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Память 713979-B21 HP 8GB 2Rx8 PC3L-12800E-11 Kit
10214 Руб.
Оперативная память HP 16 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
713985-B21 Оперативная память HP 16GB DDR3-1600MHz ECC Registered CL11 1.35V DIMM
11400 Руб.
Оперативная память Micron 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Бывший в употреблении модуль памяти DIMM Micron MT16JTF1G64AZ-1G6E1 стандарта DDR3, с объемом памяти 8GB и пропускной способностью PC12800Мб/с
1399 Руб.
