Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB 2666MHz (CD4-US04G26M19-00S)

Оперативная память DIMM CBR 4GB DDR4-2666 (CD4-US04G26M19-00S). Характеристики. Назначение:для системного блока. Тип поставки:один модуль 1x4Гб. Тип памяти:DDR4. Форм-фактор:DIMM 288-контактный. Тактовая частота:2666 МГц.

Cbr Модуль памяти DDR4 DIMM UDIMM 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank

Производитель CBR Код производителя CD4-US08G26M19-00S Тип Модуль памяти Тип памяти DDR4 Форм-фактор U-DIMM Объем памяти 8 ГБ Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Латентность CL 19 Тайминги 19-19-19-43 Кол-во контактов 288 Кол-во рангов 1 Напряжение питания 1.2 В

CBR Модуль памяти CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, single rank

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rankCBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/220323/3071831/6 GTIN 06973720598895 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-00S RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 4 Габариты (мм) - гарантия Пожизненная длина(см) 17 Дополнительная информация Одноранговый модуль Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка - масса(кг) 0.017 Модель CD4-US04G26M19-00S Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная Нет Нормальная операционная температура (Tcase) - Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Описание ПамятьCD4-US04G26M19-00S от компании CBR. Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Поддержка водяного охлаждения Нет Подсветка Нет Потребление энергии - Производитель CBR Пропускная способность (МБ/с) 21300 Радиатор Нет Расширенная операционная температура (Tcase) - Тайминги 19-19-19-43 Тип модуля DIMM .

Оперативная память для компьютера 4Gb (1x4Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 DIMM CL19 CBR CD4-US04G26M19-00S CD4-US04G26M19-00S

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Код вендора: CD4-US04G26M19-00S; Тайминги: 19-19-19-43; Латентность: CL19; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет

Память оперативная CBR 16GB CD4-SS16G26M19-01

Модуль памяти CBR CD4-SS16G26M19-01 SODIMM DDR4 емкостью 16ГБ, частотой 2666МГц (PC4-21300), non ECC, предназначен для использования в ноутбуках. Тип товара: Память (модули, комплекты), Модель: CD4-SS16G26M19-01, Тип оборудования: Оперативная память, Частота (MHz): DDR4 - 2666, Тип модуля: SO-DIMM, Объем одного модуля (ГБ): 16, Количество модулей в комплекте (шт): 1, Общий объем памяти (ГБ): 16, Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Модуль памяти CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

CBR Модуль памяти CBR DDR4 SODIMM 16GB CD4-SS16G32M22-01 PC4-25600, 3200MHz, CL22

Линейка НетМодель CD4-SS16G32M22-01Тип оборудования Оперативная памятьЧастота (MHz) DDR4 - 3200Тип модуля SO-DIMMОбъем одного модуля (ГБ) 16Количество модулей в комплекте (шт) 1Общий объем памяти (ГБ) 16Пропускная способность (МБ/с) 25600Поддержка ECC НетПоддержка Reg НетНизкопрофильная нетКоличество контактов 288CAS Latency (CL) 22RAS to CAS Delay (tRCD) 22Row Precharge Delay (tRP) 22Activate to Precharge Delay (tRAS) 52Тайминги 22-22-22-52Радиатор НетПоддержка водяного охлаждения НетЦвет черныйПодсветка нетНапряжение (В) 1.2ширина(см) 0.0000Страна производитель Китайописание ПамятьCD4-SS16G32M22-01 от компании CBR.длина(см) 0.0000высота(см) 0.0000partNumber CD4-SS16G32M22-01

Cbr Модуль памяти DDR4 DIMM UDIMM 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Cbr Модуль памяти DDR4 DIMM UDIMM 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Cbr Модуль памяти DDR4 DIMM UDIMM 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US08G26M19-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

CBR Модуль памяти CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19

Оперативная память CBR DDR4 UDIMM 4GB 2666MHz (CD4-US04G26M19-00S)

Оперативная память DDR4 обеспечивает высокие показатели надежности, скорости и стабильности при совместном функционировании с другими комплектующими аппаратной платформы ПК. Быстрые чипы помогают улучшить скорость обработки различных компьютерных команд.

Модуль памяти CBR DDR4 SODIMM 3200MHz PC4-25600 CL22 - 8Gb CD4-SS08G32M22-01

Cbr Модуль памяти DDR4 SODIMM 16GB CD4-SS16G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V

Производитель CBR Тип DDR4 Форм-фактор SODIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 16 Гб Общий объем памяти 16 Гб Тактовая частота 2666 MHz CL 19 Тайминги tRCD 19 tRP 19 tRAS 43 Напряжение питания Напряжение питания 1.2 В Дополнительно Пропускная способность 21300 Мб/с Комплектация Retail Гарантия 3 года Вес в упаковке 30 гр

Cbr Модуль памяти DDR4 SODIMM 4GB CD4-SS04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V

Производитель CBR Тип DDR4 Форм-фактор SODIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 4 Гб Общий объем памяти 4 Гб Тактовая частота 2666 MHz CL 19 Тайминги tRCD 19 tRP 19 Напряжение питания Напряжение питания 1.2 В Дополнительно Пропускная способность 21300 Мб/с Комплектация Retail Гарантия 3 года Вес в упаковке 30 гр

Cbr Модуль памяти DDR4 SODIMM 4GB CD4-SS04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.